在9月份大规模生产3纳米工艺后，TSMC的下一代工艺已经在路上了2纳米工艺将在未来两年内取代3纳米工艺这一代工艺也会放弃FinFET晶体管，像三星，英特尔一样走向GAA环绕栅晶体管技术
TSMC在6月正式宣布了2纳米工艺，并透露了一些技术细节与3nm工艺相比，2nm的速度在相同功耗下快10 ~ 15%在相同速度下，功耗降低25~30%
但在晶体管密度方面，2nm工艺的提升并不那么令人满意，仅比3nm高10%，远低于过去至少70%的提升根据摩尔定律，密度应该增加100%才能被认为是新一代工艺
另外，TSMC 2nm工艺的量产时间要等到2025年下半年，也就是说终端产品的出货要等到2026年，升级周期会比现在的节点慢很多。
为什么2nm工艺的密度提升有限第一批客户是什么这些关键问题需要TSMC来回答就在8月30日，公司将召开技术论坛会议，2nm工艺势必是明天的焦点TSMC届时应该会公布更多细节
