日前，SK海力士宣布成功研发出全球首款238层NAND闪存，拥有业界最高的层数。
最近几天，SK海力士向客户发送了238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品，并计划于2023年上半年正式投入量产该公司表示:自2020年12月完成176层NAND闪存的研发以来，仅用了一年零七个月，SK海力士就在全球首次成功完成了新一代技术的研发238层NAND闪存在达到业界最高堆数的同时，实现了世界上最小的面积，意义更加非凡
当天，SK海力士在美国圣克拉拉举行的2022闪存峰会上首次亮相，展示了全新的238层NAND闪存在峰会主题演讲中，SK海力士NAND闪存开发负责人崔表示:基于其4D NAND闪存技术，SK海力士在全球首次成功开发出238层NAND闪存，从而确保了在成本，性能和产品质量方面的全球领先竞争力公司会不断创新，不断突破技术瓶颈
SK海力士在2018年开发的96层NAND闪存超越了传统的3D模式，引入了4D模式为了成功开发具有4D架构的芯片，该公司采用了电荷俘获技术和PUC技术与3D模式相比，4D建筑具有单位面积更小，生产效率更高的优势
38层NAND闪存成功堆叠更多层，同时实现了业界最小的面积新产品的单位面积密度更高，以其更小的面积在相同尺寸的硅片上可以生产更多的芯片，因此其生产效率也比176层NAND闪存提高了34%
此外，238层NAND闪存的数据传输速度为2.4Gbps，比上一代提升了50%，芯片读取数据时的能耗也降低了21%可以说SK海力士通过节省芯片功耗，在ESG方面取得了显著进步
SK海力士计划先为cSSD供应238层NAND闪存，然后逐步将进口范围扩大到智能手机和大容量服务器SSD该公司还将于明年发布1Tb密度的238层NAND闪存新产品，密度是现有产品的两倍
